[发明专利]具有光子收集装置的太阳能电池

摘要

公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括p型掺杂的半导体材料和横向邻近于所述p型材料的n型掺杂的半导体材料。所述p型材料和n型材料形成具有有限深度的条形结构，并且在所述p型材料和n型材料的结处形成垂直结构二极管。所述垂直结构二极管的深度由所述p型材料或n型材料中的至少一个的电磁趋肤深度的多倍确定，并且耗尽层的宽度由所述p型和n型材料的掺杂浓度来控制。还公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池具有形成光学元件的耐火材料，所述光学元件设置在所述太阳能电池的面向太阳的表面上并且适于将光子引导到垂直结构光电二极管的耗尽区。

主权项

一种太阳能电池，包括：p型掺杂的半导体材料；n型掺杂的半导体材料，横向邻近于所述p型材料，所述p型材料和n型材料形成具有有限深度的条形结构，并且在所述p型材料和n型材料的结处形成垂直结构二极管；其中，所述垂直结构二极管的深度由所述p型材料或n型材料中的至少一个的电磁趋肤深度的多倍确定，并且耗尽层的宽度由所述p型和n型材料的掺杂浓度来控制。