[发明专利]用于不导电基底的直接金属化的方法有效

专利信息
申请号: 201180023414.0 申请日: 2011-03-21
公开(公告)号: CN102906306A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 安德里亚斯·柯尼斯霍芬;丹妮卡·埃尔比克;赫尔穆特·斯塔克 申请(专利权)人: 恩索恩公司
主分类号: C23C18/16 分类号: C23C18/16;C23C18/30;C23C18/31;C23C18/40
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 杨黎峰
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种用于不导电基底的直接金属化的方法和一种在这样的方法中使用的导体溶液。根据本发明,提出了在用含有贵金属胶体的活化剂溶液活化之后,将不导电基底的表面与导体溶液接触,该导体溶液包括可通过活化剂溶液的金属还原的金属、络合剂和还原剂。
搜索关键词: 用于 导电 基底 直接 金属化 方法
【主权项】:
一种用于不导电基底的直接金属化的方法,所述方法包括以下步骤:将所述基底与含有金属的水性活化剂制剂接触,所述含有金属的水性活化剂制剂包括贵金属/金属‑胶体,所述贵金属/金属‑胶体包括选自金、银、铂和钯的胶体贵金属以及选自铁、锡、铅、钴和锗的金属的可氧化的离子,由此将胶体贵金属沉积在所述基底上并且活化所述基底,以用于沉积另一金属;将所活化的基底与导体溶液接触,所述导体溶液包括:所述另一金属的离子,所述另一金属的离子可被所述活化剂制剂的金属离子还原;络合剂;选自锂、钠、钾、铷、铯和铍的至少一种IA族金属离子或者II族金属离子;选自氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、硝酸根、硫酸根及其组合的平衡阴离子;以及非甲醛的还原剂,在与所述活化的基底初始接触时,所述导体溶液中的所述平衡阴离子的摩尔浓度之和与用于所述可还原的金属离子的所有还原剂的摩尔浓度之和的比率在约0.70和约50之间、优选地在约2和约30之间、更优选地在约5和约20之间,可还原的金属阳离子的总浓度与镍离子的浓度的比率为至少约10、优选地至少约100、最优选地至少约1000,最优选地,所述导体溶液中基本上不含镍离子;通过所述可还原的金属离子与所述可氧化的金属离子的反应和所述可还原的金属离子在所述贵金属催化下的与所述还原剂的反应,还原所述可还原的金属离子,由此将所述另一金属沉积在所述基底上;以及将所述另一金属无电镀和/或电镀到所述基底上。
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