[发明专利]光电转换装置有效
| 申请号： | 201180020811.2 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102870224A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 浅尾英章;鎌田塁;笠井修一;小栗诚司;田中勇;堀内伸起;梅里计匡 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高了光电转换效率的光电转换装置。本发明的光电转换装置具有电极层（2）和设置于该电极层（2）上的光吸收层（3）。光吸收层（3）是层叠多个含有黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，具有：电极层；以及设置于该电极层上的光吸收层，该光吸收层是层叠多个含有I‑III‑VI族黄铜矿系化合物半导体的半导体层而成，该半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的氧摩尔浓度，高于所述半导体层的平均氧摩尔浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社，未经京瓷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180020811.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车室内热交换器
- 下一篇：摩托车后刹液压制动器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
