[发明专利]抗蚀剂除去装置和抗蚀剂除去方法无效
| 申请号： | 201180013426.5 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102906858A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 土桥和也;布瀬晓志 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;岩谷产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种抗蚀剂除去装置，其不氧化抗蚀剂以外的基板材料，与使用溶剂的现有的抗蚀剂除去方法相比能够更有效地除去抗蚀剂。从形成有抗蚀剂的晶片（W）除去抗蚀剂的抗蚀剂除去装置中，具有对晶片（W）喷射多个有机类溶剂分子集合而成的簇的簇喷射单元（3）。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 除去 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种抗蚀剂除去装置，其用于从形成有抗蚀剂的基板除去抗蚀剂，该抗蚀剂除去装置的特征在于：具有对所述基板喷射由多个有机类溶剂分子集合而成的簇的簇喷射单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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