[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号: | 201180010369.5 | 申请日: | 2011-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN102754022B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
| 发明(设计)人: | 今藤敏和;小山润;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;H01L29/786 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杨美灵;李浩 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明的目的之一是降低液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。使用包括氧化物半导体层的晶体管,作为设置在各像素(100)中的晶体管(105)。注意,该氧化物半导体层是通过彻底去除变成电子给体(供体)的杂质(氢或水等)得到高纯度化的氧化物半导体层。由此,可以降低晶体管(105)处于截止状态时的泄漏电流(截止状态电流)的量。因此,可以保持施加到液晶元件的电压而在各像素中不设置电容器。另外,与此附随可以去除延伸到液晶显示装置的像素部的电容器布线。由此,可以去除信号线(103)与电容器布线彼此立体交叉的区域中的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种液晶显示装置,包括:彼此排列为平行或大致平行的第一扫描线及第二扫描线;信号线;与所述第一扫描线及所述信号线电连接的晶体管,该晶体管包括栅极、栅极绝缘层及氧化物半导体层;与所述晶体管电连接的液晶元件;以及在所述栅极绝缘层之上和所述信号线之下的第一绝缘层,其中所述信号线与所述第一扫描线立体交叉,由于所述第一扫描线在所述信号线中形成有第一台阶,其中所述信号线与所述第二扫描线立体交叉,由于所述第二扫描线在所述信号线中形成有第二台阶,其中所述信号线的整个上表面在所述第一台阶和所述第二台阶之间的区域中位于同一平面上或大致同一平面上,以及其中所述第一绝缘层在所述区域中接触于所述信号线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180010369.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。





