[发明专利]用于测试和校准磁场感测器件的方法和结构有效
| 申请号： | 201180010293.6 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102762951A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | P·马瑟 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G01B7/14 | 分类号： | G01B7/14;G01R33/06;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在电路（101）中包括至少一个磁致电阻感测元件（100）的感测磁场的方法，该方法包括：提供（702）第一多个电流到与磁致电阻感测元件（100）相邻地设置的稳定线（116）；施加（704）第二多个电流至与磁隧道结（100）相邻设置的自测试线（120），第一多个电流中的每一个在第二多个电流中的每一个期间提供。由该磁隧道结感测元件（100）响应于第一多个电流的提供（702）和第二多个电流的施加（704）所感测的值被采样（706），从所采样的值确定（708）磁隧道结传感器（100）的灵敏度以及电和磁偏差。还可以确定偏差的温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 校准 磁场 器件 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种磁场传感器，包括：第一电流传输线和第二电流传输线；稳定线；第一磁致电阻感测元件，位于第一电流传输线与第二电流传输线之间并与该稳定线相邻；以及磁场生成线，定位得与该第一磁致电阻感测元件相邻。
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