[发明专利]用于生产颗粒的等离子体溅射工艺有效
| 申请号： | 201180008628.0 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102803548A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 尤尔弗·赫尔默松;尼尔斯·布伦宁;丹尼尔·索德斯特罗姆 | 申请（专利权）人： | 蒂亚公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 高瑜;郑霞 |
| 地址： | 瑞典布*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于生产具有10μm或更小尺寸的颗粒的高生产速率等离子体溅射工艺。工艺导致被溅射的靶原子的至少一部分电离并且以使得电离的被溅射的靶原子在晶粒表面上的拾取概率是高的参数进行。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 颗粒 等离子体 溅射 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于生产具有小于10μm尺寸的颗粒的等离子体溅射工艺，所述工艺包括‑在等离子体产生设备中提供靶，所述设备具有特征长度Lc，其中Lc3等于在所述设备中产生的等离子体的体积，‑将工艺气体引入所述等离子体产生设备中并控制所述等离子体产生设备内部的压力以获得工艺气体数密度nG，‑在所述等离子体产生设备内部产生等离子体并控制提供至所述等离子体的能量以获得等离子体电子数密度ne以及等离子体电子温度Te，‑借助于所述等离子体从所述靶溅射原子，‑允许被溅射的原子被拾取在存在于所述等离子体产生设备中的晶粒的表面上，从而生产颗粒，其中所述等离子体电子数密度ne和所述等离子体电子温度Te足以导致所述被溅射的靶原子的至少一部分电离，从而电离的被溅射的靶原子在所述晶粒的表面上产生拾取通量；并且其中以下的准则被满足LITA/Lc≤0.5其中LITA是所述电离的被溅射的靶原子在所述等离子体内部的平均自由程，并且其中所述等离子体产生设备通过脉冲式电力供应操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蒂亚公司，未经蒂亚公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180008628.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
