[发明专利]光电转换装置无效
申请号: | 201180007195.7 | 申请日: | 2011-01-14 |
公开(公告)号: | CN102725856A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 兼松大二;关本健之;矢田茂郎;寺川朗 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种具备电导率高、光的吸収率低、且能够得到高的光散射效果的透明电极的光电转换装置。作为透明电极层(22),形成第一透明电极层(22a)和第二透明电极层(22b),并且设有纹理结构,其中,上述第一透明电极层(22a)形成于基板(20)侧,上述第二透明电极层(22b)位于比第一透明电极层(22a)远离基板(20)的位置,并且比第一透明电极层(22a)密度小。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,其特征在于,具备:基板;形成于所述基板上的透明电极层;形成于所述透明电极层上的光电转换单元;和形成于所述光电转换单元上的背面电极,其中,所述透明电极层在所述光电转换单元侧的表面具有纹理结构,并且具备:形成于所述基板侧的第一透明电极层;和第二透明电极层,其位于比所述第一透明电极层远离所述基板的位置,比所述第一透明电极层密度小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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