[发明专利]铟靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 201180004828.9 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102782181A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅;坂本胜 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种从溅射开始至结束的成膜速率或放电电压等溅射特性稳定的铟靶材及其制造方法。该铟靶材为具有从靶材的一个表面至另一表面在所述靶材的厚度方向上延伸的柱状晶组织，且柱状晶组织的体积含量百分比为90~100%。 | ||
| 搜索关键词： | 铟靶材 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铟靶材，其中，所述铟靶材具有从靶材的一个表面至另一表面在前述靶材的厚度方向上延伸的柱状晶组织，且前述柱状晶组织的体积含量百分比为90~100%。
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