[实用新型]一种硅芯搭桥结构有效
| 申请号： | 201120567315.6 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN202379744U | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 曹泽俊 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 广东省深圳市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅芯搭桥结构，包括第一竖硅芯和第二竖硅芯，横向搭接在第一竖硅芯和第二硅芯顶端上的桥芯，第一竖硅芯和第二竖硅芯的顶端切割有一预定角度的“V”形凹槽，桥芯的两端切割有一预定角度的“V”形口，第一竖硅芯和第二竖硅芯顶端的“V”形凹槽和桥芯的两端的“V”形口相适配。本实用新型提供一种硅芯搭桥结构，通过第一竖硅芯和第二竖硅芯与桥芯构成一个“Π”形导电回路，且二者的接触面较大，因而接触电阻较小，有利于多晶硅氢还原的导通和提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 搭桥 结构 | ||
【主权项】：
一种硅芯搭桥结构，包括第一竖硅芯和第二竖硅芯，横向搭接在所述第一竖硅芯和第二硅芯顶端上的桥芯，其特征在于，所述第一竖硅芯和第二竖硅芯的顶端切割有一预定角度的“V”形凹槽，所述桥芯的两端切割有一预定角度的“V”形口，所述第一竖硅芯和第二竖硅芯顶端的“V”形凹槽和所述桥芯的两端的“V”形口相适配。
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