[实用新型]耐强冲击型熔断电阻器有效
| 申请号： | 201120461441.3 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN202405026U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 韩秀芬;朱丰;朱奇 | 申请（专利权）人： | 深圳市格瑞特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道龙观*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种耐强冲击型的熔断电阻器，包括一绝缘基体，所述绝缘基体的两端各设置有一金属帽，所述绝缘基体为圆柱状结构，所述绝缘基体上设有一层电阻膜，所述电阻膜的两端分别与所述绝缘基体两端的金属帽连接，所述绝缘基体两端的金属帽分别外接一引脚，所述绝缘基体的外层还设置有一层散热层，所述电阻膜包裹于所述散热层内。本实用新型结构简单、成本低、耐强冲击性能，在36倍于额定电流的情况下，电阻膜熔断时间在1-30秒内；225倍额定电流，电阻膜熔断时间在0.2秒至2秒内；900倍额定电流，电阻膜熔断时间在20毫秒至200毫秒内。 | ||
| 搜索关键词： | 冲击 熔断 电阻器 | ||
【主权项】：
一种耐强冲击型熔断电阻器，其特征在于：包括一绝缘基体，所述绝缘基体的两端各设置有一金属帽，所述绝缘基体为圆柱状结构，所述绝缘基体上设有一层电阻膜，所述电阻膜的两端分别与所述绝缘基体两端的金属帽连接，所述绝缘基体两端的金属帽分别外接一引脚，所述绝缘基体的外层还设置有一层散热层，所述电阻膜包裹于所述散热层内。
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