[实用新型]一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极有效
申请号: | 201120443016.1 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN202373595U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 廖清君;胡晓宁;马伟平;邢雯;陈昱;林春;王建新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极。本实用新型中的电极为一种延展电极,该电极从芯片注入区延展至非注入区,电极与非注入区表面之间有钝化层将电极与非注入区表面隔离,钝化层为200~300nm厚的CdTe与ZnS复合钝化层。本实用新型的电极可以保证pn结注入区内的电极与复合钝化层表面电极的电学连通性达到100%,同时将用于倒焊互连的铟柱制备在电极的延伸处,远离pn结注入区位置,保证倒焊互连时的压力承受点远离pn结,提高器件性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 光伏型碲镉汞 探测器 延展 电极 | ||
【主权项】:
一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极,其特征在于:该电极从芯片注入区延展至非注入区,电极与非注入区表面之间有钝化层将电极与非注入区表面隔离,所述的钝化层为100nm厚的CdTe和200nm厚的ZnS的复合钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的