[实用新型]晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置有效
| 申请号： | 201120432054.7 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN202332919U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 程曦;马煜隆;段甜健;李理;夏伟;包崇彬;李质磊;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610200 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管，在喷淋管后面设置挂水飘带和匀水滚轮，挂水飘带和匀水滚轮相对硅片高度和位置可调。既能保证硅片表面的水膜覆盖完整，也不会引起水膜过多过厚，可大大改善晶体硅太阳能电池片的刻蚀质量和电性能，结构简单，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 刻蚀 改善 装置 | ||
【主权项】：
晶体硅太阳能电池刻蚀水膜改善装置，其特征在于：在硅片传送带上方设置有水膜喷淋管(2)，在喷淋管(2)后面设置挂水飘带(3)，挂水飘带(3)相对硅片(1)高度和位置可调。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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