[实用新型]一种肖特基二极管有效
| 申请号： | 201120285403.7 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN202189789U | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 赵为涛;苗本秀;张录周 | 申请（专利权）人： | 山东沂光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 276017 山东省临*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基二极管，属于半导体器件技术领域。其包括硅衬底、硅外延层、二氧化硅、P＋环、金属硅化物、阻挡金属层、粘附金属层和金属电极层，所述硅衬底上生长有硅外延层，硅外延层上沉积有二氧化硅，硅衬底和硅外延层为N型半导体硅材料，在硅外延层中具有P＋环，P＋环与硅外延层形成一单边突变PN结，与肖特基结并联，金属硅化物在二氧化硅的窗口内，在二氧化硅的窗口上依次覆盖阻挡金属层、粘附金属层和金属电极层。本实用新型由于采用以上结构，与现有技术相比具有低噪声、低功耗、超高频、具有优良的正向和反向特性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括硅衬底、硅外延层、二氧化硅、P＋环、金属硅化物、阻挡金属层、粘附金属层和金属电极层，其特征在于：所述硅衬底上生长有硅外延层，硅外延层上沉积有二氧化硅，硅衬底和硅外延层为N型半导体硅材料，在硅外延层中具有P＋环，P＋环与硅外延层形成一单边突变PN结与肖特基结并联，金属硅化物在二氧化硅的窗口内，在二氧化硅的窗口上依次覆盖阻挡金属层、粘附金属层和金属电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东沂光电子股份有限公司，未经山东沂光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120285403.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
