[实用新型]晶硅太阳能电池

摘要

本实用新型提供了一种晶硅太阳能电池，所述晶硅太阳能电池包括P型单晶硅衬底；位于P型单晶硅衬底下方的背场以及穿透背场并与P型单晶硅衬底相连的背电极；位于P型单晶硅衬底上方的N型发射区、覆盖在N型发射区上方的减反射薄膜以及穿透减反射薄膜并与N型发射区相连的主栅线和副栅线，所述减反射薄膜的折射率比N型发射区的折射率小；所述减反射薄膜为三层介质结构，并且所述减反射薄膜的三层介质的折射率从下至上依次减小。本实用新型能有效提高太阳光的利用率，同时减小晶硅太阳能电池的表面复合速度，对晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流均有一定的提升。

主权项

一种晶硅太阳能电池，包括：P型单晶硅衬底；位于所述P型单晶硅衬底下方的背场以及穿透所述背场并与所述P型单晶硅衬底相连的背电极；位于所述P型单晶硅衬底上方的N型发射区、覆盖在所述N型发射区上方的减反射薄膜以及穿透所述减反射薄膜并与所述N型发射区相连的主栅线和副栅线，所述减反射薄膜的折射率比N型发射区的折射率小；其特征在于，所述减反射薄膜为三层介质结构，所述减反射薄膜从下至上依次包括第一减反射薄膜、第二减反射薄膜以及第三减反射薄膜，并且所述减反射薄膜的三层介质的折射率从下至上依次减小。