[实用新型]一种薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201120267528.7 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN202142547U | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 程抒一;陈勤妙;倪一;李振庆;窦晓鸣 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 | 代理人： | 陈伟勇 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及太阳能技术领域，具体涉及一种薄膜太阳能电池。从太阳能各膜层的功能出发考虑可能的原材料，再从中选取可采用非真空法进行制备的原材料。最后结合薄膜沉淀的次序以及各膜层间能带、晶格的匹配性进行优化组合。设计了结构为Mo/CISe/In2S3/TiO2/FTO的太阳能电池结构：所有的功能薄膜层均可以采用低价、具有大面积均匀成膜特性的非真空法进行制备，适宜于商业化生产的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池，包括基底、缓冲层、吸收层，其特征在于，所述基底采用FTO玻璃基板，所述基底上设有一窗口层，所述窗口层采用致密TiO2做为n型的窗口层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
