[实用新型]高均匀电场型中间封接环有效
| 申请号： | 201120253211.8 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN202134454U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 肖红;刘继君 | 申请（专利权）人： | 成都凯赛尔电子有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高均匀电场型中间封接环，所述中间封接环本体由环形的底平面、斜边圆弧和竖向的立边组成，所述斜边圆弧与底平面的内端相连，立边与斜边圆弧的上端相连，在底平面的上平面设有瓷壳台阶，在底平面的底部设有屏蔽筒台阶。本实用新型高均匀电场型中间封接环与屏蔽筒为非悬挂结构，不需要单独钎焊连接，缩短了工艺流程，降低了制造成本，满足高海拔的使用，适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 电场 中间 封接环 | ||
【主权项】：
高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述中间封接环本体由环形的底平面、斜边圆弧和竖向的立边组成，所述斜边圆弧与底平面的内端相连，立边与斜边圆弧的上端相连，在底平面的上平面设有瓷壳台阶，在底平面的底部设有屏蔽筒台阶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都凯赛尔电子有限公司，未经成都凯赛尔电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120253211.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
