[实用新型]高均匀电场型中间封接环有效
| 申请号： | 201120253211.8 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN202134454U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 肖红;刘继君 | 申请（专利权）人： | 成都凯赛尔电子有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 均匀 电场 中间 封接环 | ||
【权利要求书】：
1.高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述中间封接环本体由环形的底平面、斜边圆弧和竖向的立边组成，所述斜边圆弧与底平面的内端相连，立边与斜边圆弧的上端相连，在底平面的上平面设有瓷壳台阶，在底平面的底部设有屏蔽筒台阶。
2.根据权利要求1所述的高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述斜边圆弧与立边形成15度的a夹角。
3.根据权利要求1所述的高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述底平面的外直径为100-102.5mm，屏蔽筒台阶的直径为95-97.5mm，瓷壳台阶的直径为86-90mm。
4.根据权利要求3所述的高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述底平面的外直径为102.5mm，屏蔽筒台阶的直径为97.5mm，瓷壳台阶的直径为89.5mm。
5.根据权利要求1所述的高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述立边的直径为75-78mm、高度为9-9.5mm。
6.根据权利要求5所述的高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述立边的直径为78mm、高度为9.5mm。
7.根据权利要求1所述的高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述中间封接环的整体高度为18-20mm。
8.根据权利要求7所述的高均匀电场型中间封接环，其特征在于：所述中间封接环的整体高度为20mm。
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