[实用新型]一种硅太阳能电池背场电极结构有效
申请号: | 201120238381.9 | 申请日: | 2011-07-07 |
公开(公告)号: | CN202221765U | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 张宏;徐晓宙;徐传骧;徐晓斌 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学苏州研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215123 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅太阳能电池背电极结构,其特征在于硅片和铝电极之间有一层非完全覆盖的钝化层存在,所述钝化层包含密集的网络状的微观通道,所述铝电极通过所述微观通道与所述硅片接触,形成网络状分布的定域背电场。所述的非完全覆盖的钝化层是由一层薄的普通钝化层以及上面印刷涂覆的高烧透型铝浆共同烧结形成。本实用新型所述的硅太阳能电池背电极能有效抑制光生载流子在硅铝界面的复合,提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种硅太阳能电池背场电极结构,包括硅片和铝电极,其特征在于硅片和铝电极之间有一层非完全覆盖的钝化层,所述钝化层由随机分布的网络状的微观通道构成,所述铝电极通过所述微观通道与所述硅片接触,形成网络状分布的定域背电场。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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