[实用新型]宽栅格双极静电感应晶体管的光刻版无效
申请号: | 201120211823.0 | 申请日: | 2011-06-22 |
公开(公告)号: | CN202102241U | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 李彤 | 申请(专利权)人: | 李彤 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225002 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 宽栅格双极静电感应晶体管的光刻版,属于微电子技术领域,特别是一种功率半导体器件的生产技术领域。包括设有光刻栅区的版体,其特征在于在所述光刻栅区内的栅格条宽度为7~30μm。由于本实用新型将栅格条设计得较宽,因此,生产工艺较为简单,无需大规模集成电路生产线,在普通功率三极管生产线就可生产,大大降低了进入门槛,为产品的规模化生产提供了较好的基础。 | ||
搜索关键词: | 栅格 静电感应 晶体管 光刻 | ||
【主权项】:
宽栅格双极静电感应晶体管的光刻版,包括设有光刻栅区的版体,其特征在于在所述光刻栅区内的栅格条宽度为7~30um。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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