[实用新型]太阳能电池片的背场有效
| 申请号： | 201120118220.6 | 申请日： | 2011-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN202049960U | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 孙坚;冯帅臣;李勇;陈清波;张茂胜 | 申请（专利权）人： | 江苏伯乐达光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 菅秀君 |
| 地址： | 224051 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种太阳能电池片的背场，所述背场覆盖在太阳能电池片的背表面，并且所述背场的边沿距离所述太阳能电池片的边沿为0.4mm至0.6mm。本实用新型提供的太阳能电池片的背场，将背场范围拓宽至太阳能电池片边沿的0.4mm至0.6mm，背场面积增大可以有效降低背表面载流子的复合率，进而增强短路电流。对进入太阳能电池片内部的光线，增大的背场面积可以延长光线反射的光程，配合表面绒面结构可以形成光陷阱效果，进一步提高光的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片的背场，所述背场覆盖在太阳能电池片的背表面，并且所述背场的边沿距离所述太阳能电池片的边沿为0.4mm至0.6mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
