[实用新型]一种硅晶片激光改性设备系统有效
| 申请号： | 201120101074.6 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN202259383U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 胡传炘;黄继强;刘颖;沈忱 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学;镇江恒兴源节能科技有限公司;山西黄河防腐绝热工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅晶片激光改性设备系统，属于激光设备技术领域。由三个子系统构成：第一个子系统由激光器与控制激光器的计算机连接和光路转换系统构成独立的激光打击系统；第二个子系统真空室系统由真空室、垫板、真空泵及介质气体瓶构成；第三个子系统移动平台系统由移动平台、移动平台控制器、计算机构成；真空室分别与真空泵和介质气瓶连通，真空室放在移动平台上，真空室内放有垫板，移动平台与移动平台控制器相连接，移动平台控制器与操纵移动平台控制器的计算机连接。本实用新型可以可靠、快捷地对硅晶片进行激光改性(定点打击或移动打击)，所获得的改性晶片之光电转换效率有明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 激光 改性 设备 系统 | ||
【主权项】：
一种硅晶片激光改性设备系统，其特征在于，由三个子系统构成：第一个子系统由激光器(2)与控制激光器的计算机(3)连接和光路转换系统(1)构成独立的激光打击系统；第二个子系统真空室系统由真空室(5)、垫板(7)、真空泵(11)及介质气体瓶(12)构成；第三个子系统移动平台系统由移动平台(8)、移动平台控制器(9)、操纵移动平台控制器的计算机(10)构成；真空室(5)分别与真空泵(11)和介质气瓶(12)连通，真空室(5)放在移动平台(8)上，真空室(5)内放有垫板(7)，移动平台(8)与移动平台控制器(9)相连接，移动平台控制器(9)与计算机(10)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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