[实用新型]提高莹光粉激光效率的LED封装结构有效
| 申请号： | 201120078838.4 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN202009037U | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张坤;黎新彩 | 申请（专利权）人： | 东莞市翌唐新晨光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所 44231 | 代理人： | 鲁慧波 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构，包括蓝宝石衬底、N-GaN层、LED发光层、P-GaN层、透明导电层，所述蓝宝石衬底设于底部，N-GaN层设于蓝宝石衬底上，LED发光层设于N-GaN层与P-GaN层之间，透明导电层设于P-GaN层上端，所述P-GaN层上表面或下表面均匀涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。本实用新型将莹光粉硅胶直接涂到芯片端，让LED蓝光直接透过莹光粉的激发以白光的方式发射出来，厚度薄且均匀性比传统的封装要好，可将发光效率提升20%以上。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 莹光粉 激光 效率 led 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构，包括蓝宝石衬底、N‑GaN层、LED发光层、P‑GaN层、透明导电层，所述蓝宝石衬底设于底部，N‑GaN层设于蓝宝石衬底上，LED发光层设于N‑GaN层与P‑GaN层之间，透明导电层设于P‑GaN层上端，其特征在于，所述P‑GaN层上表面或下表面均匀涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15‑20um。
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