[实用新型]一种电荷泵锁相环中的电荷泵电路无效
申请号: | 201120068390.8 | 申请日: | 2011-03-16 |
公开(公告)号: | CN202043096U | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 李智群;郑爽爽;王志功 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 汤志武 |
地址: | 214135 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种电荷泵锁相环中的电荷泵电路,设有自偏置电流镜电路、充放电电路、复制电路、预充电偏置电路及轨到轨运放电路,自偏置电流镜电路设有电阻R、3个MOS管以及参考电流源。充放电电路设有充、放电开关管以及4个MOS管组成的充放电电流源。复制电路是充放电电路结构的复制,相对应的晶体管尺寸对应相等。预充电偏置电路设有5个MOS管,轨到轨运放电路的输入端跨接于充放电电路和复制电路之间,输出端连接电荷泵充电电流源。 | ||
搜索关键词: | 一种 电荷 泵锁相 环中 电路 | ||
【主权项】:
一种电荷泵锁相环中的电荷泵电路,其特征在于:设有自偏置电流镜电路、充放电电路、复制电路、预充电偏置电路及轨到轨运放电路,其中:自偏置电流镜电路设有电阻R、MOS管M1、M2、M3以及参考电流源,电阻R一端连接MOS管M1栅极和参考电流源,参考电流源另一端连接电源VDD,电阻R另一端连接MOS管M1的漏极和M2的栅极,MOS管M1的源极连接M2的漏极,MOS管M2的源极连接M3的漏极,MOS管M3的栅极接电源VDD,M3的源极接地;充放电电路设有充电开关管M4和放电开关管M8以及MOS管M5、M5’、M6、M7组成的充放电电流源,充电开关管M4栅极连接充电信号UP,M4源极接电源VDD,MOS管M5与M5’作为充电电流源,MOS管M5与M5’的源极连接在一起并与开关管M4的漏极连接,MOS管M5与M5’的漏极相连作为电荷泵输出端,与锁相环中环路滤波器输入端连接,MOS管M5与M5’的漏极连接在一起并与MOS管M6的漏极连接,MOS管M6的栅极与自偏置电流镜电路中MOS管M1栅极连接,MOS管M6的源极与MOS管M7的漏极连接,MOS管M7的栅极和自偏置电流镜电路中MOS管M2的栅极相连接,MOS管M7的源极连接放电开关管M8的漏极,放电开关管M8的栅极连接放电信号DW,M8的源极接地;复制电路是充放电电路结构的复制,设有与充电开关管M4相对应的充电开关管M9、与MOS管M5、M5’相对应的MOS管M10、M10’、与MOS管M6、M7相对应的MOS管M11、M12以及与放电开关管M8相对应的放电开关管M13,相对应的晶体管尺寸对应相等,充电开关管M9的源极连接电源VDD,M9栅极接地,MOS管M10、M10’的源极连接M9的漏极,MOS管M10、M10’的漏极连接MOS管M11的漏极,M11的栅极连接自偏置电流镜电路中MOS管M1的栅极,MOS管M11的源极连接MOS管M12的漏极,M12的栅极连接自偏置电流镜电路中MOS管M2的栅极,M12的源极连接放电开关管M13的漏极,M13的栅极接电源VDD,M13的源极接地;预充电偏置电路设有MOS管M14、M15、M16、M17、M18,MOS管M14的源极接电源VDD,M14的栅极接地,M14的漏极接MOS管M15源极,M15的栅极与漏极连接在一起并与充放电电路MOS管M5’以及复制电路MOS管M10’的栅极连接,M15的漏极连接MOS管M16的漏极,M16的栅极连接自偏置电流镜MOS管M1的栅极,M16的源极连接MOS管M17的漏极,M17的栅极连接自偏置电流镜MOS管M2的栅极,M17的源极连接MOS管M18的漏极,M18的栅极接电源VDD,M18的源极接地;轨到轨运放电路的负输入端连接电荷泵的输出端即充放电电路中MOS管M6的漏极,轨到轨运放电路的正输入端连接复制电路中MOS管M11的漏极,轨到轨运放电路的输出端与充放电电路MOS管M5的栅极以及复制电路MOS管M10的栅极连接在一起。
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