[实用新型]高密度铟连接半导体激光器热沉无效
| 申请号： | 201120039054.0 | 申请日： | 2011-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN202025980U | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 傅高升;林绍义 | 申请（专利权）人： | 福建交通职业技术学院 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350007 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高密度铟连接半导体激光器热沉，由结构件1，铟柱2组成，在洁净金属材质结构件1的位置上，具有阵列高度为大于5μm、小于100μm、且高度差小于5％，间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱2。它具有结构简单，体积小，稳定性好，适用性强，使用方便，价格合理等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 连接 半导体激光器 | ||
【主权项】：
高密度铟连接半导体激光器热沉，其特征在于：由结构件(1)，铟柱(2)组成，在洁净金属材质结构件(1)的位置上，具有阵列高度为大于5μm、小于100μm、且高度差小于5％，间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱(2)。
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