[发明专利]晶体硅太阳电池制绒方法无效
| 申请号： | 201110459609.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102569511A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李志伟 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体硅太阳电池片的制备技术领域，特别是一种晶体硅太阳电池制绒方法，在硅片表面制作掩膜，然后在掩膜上开的掩膜窗口，再通过磁场定向作用的电化学腐蚀方法腐蚀出绒面结构，电化学腐蚀液由DMF、HF和H2O组成，其比例范围100DMF∶10HF∶15H2O至100DMF∶5HF∶5H2O。本发明的有益效果是：电化学腐蚀在磁场作用下对晶体硅进行腐蚀，通过对工艺参数的控制可以除去表面掩膜层及损伤层的同时得到垂直性很好的绒面结构，此结构可以降低光反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：在硅片表面制作掩膜，然后在掩膜上开的掩膜窗口，再通过磁场定向作用的电化学腐蚀方法腐蚀出绒面结构，电化学腐蚀液由DMF、HF和H2O组成，其比例范围100DMF∶10HF∶15H2O至100DMF∶5HF∶5H2O。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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