[发明专利]一种高Q值低温烧结微波介质陶瓷材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201110457157.3 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN102531570A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 童建喜;张斌;黄伟;杨辉;余祖高 申请(专利权)人: 嘉兴佳利电子股份有限公司;浙江大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 王从友
地址: 314003 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属材料科学技术领域,尤其涉及一种高Q值低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。一种高Q值低温烧结微波介质陶瓷材料,该陶瓷材料的原料配方组成为:Li2(Mg1-xZnx)Ti3O8和烧结助剂,其中0≤x≤1;烧结助剂占Li2(Mg1-xZnx)Ti3O8质量分数的0.5%~5%;烧结助剂为Li2O-B2O3-SiO2玻璃粉、ZnO-B2O3-SiO2玻璃粉、BaO-B2O3-SiO2玻璃粉以及CuO-Bi2O3-V2O5煅烧粉中的一种或几种。本发明提供的低温烧结微波介质陶瓷材料成本低廉,添加烧结助剂量少,具有高的品质因子Qf值,制备工艺简单、重现性好,因此本发明具有极大的工业应用价值。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 制备 方法
【主权项】:
一种高Q值低温烧结微波介质陶瓷材料,其特征在于该陶瓷材料的原料配方组成为:Li2(Mg1‑xZnx)Ti3O8和烧结助剂,其中0≤x≤1;烧结助剂占Li2(Mg1‑xZnx)Ti3O8质量分数的0.5%~5%;作为优选方式所述的烧结助剂占Li2(Mg1‑xZnx)Ti3O8质量分数的1%~3%;烧结助剂为Li2O‑B2O3‑SiO2玻璃粉、ZnO‑B2O3‑SiO2玻璃粉、BaO‑B2O3‑SiO2玻璃粉以及CuO‑Bi2O3‑V2O5煅烧粉中的一种或几种。
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