[发明专利]一种AZO膜层室温沉积方法无效
| 申请号： | 201110455531.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102517554A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 石倩;代明江;周克崧;林松盛;侯惠君;韦春贝;胡芳 | 申请（专利权）人： | 广州有色金属研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所 44216 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种AZO膜层室温沉积方法。其特征是由以下步骤组成：(1)将衬底进行超声波清洗、烘干后放入真空室中，本底真空度小于4.0×10-3Pa，在室温，工件转速0～2rpm，气压0.2～0.5Pa，离子源300～500W和负偏压300～800V下，用Ar离子轰击清洗衬底5～20min；(2)中频磁控溅射沉积AZO膜层，Ar气压为0.1～0.5Pa，离子源功率为30～100W，负偏压为0～100V，AZO陶瓷靶功率为3～8W/cm2，沉积时间为5～10min。本发明采用中频磁控溅射结合离子源辅助技术，在室温条件下沉积AZO透明导电膜层。本发明的方法清洁环保，对人体无害，工艺简单，成本低，可以实现大面积工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 azo 室温 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种AZO膜层室温沉积方法，其特征是由以下步骤组成：(1)将衬底进行超声波清洗、烘干后放入真空室中，本底真空度小于4.0×10‑3Pa，在室温，工件转速0～2rpm，气压0.2～0.5Pa，离子源300～500W和负偏压300～800V下，用Ar离子轰击清洗衬底5～20min；(2)中频磁控溅射沉积AZO膜层，Ar气压为0.1～0.5Pa，离子源功率为30～100W，负偏压为0～100V，AZO陶瓷靶功率为3～8W/cm2，沉积时间为5～10min。
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