[发明专利]一种晶硅太阳能电池的刻槽埋栅方法

摘要

本发明涉及一种晶硅太阳能电池的刻槽埋栅方法，其特点是，包括如下步骤：(1)、在表面制绒后的硅片表面印刷一层保护膜；(2)将涂膜后的硅片浸入NaOH或KOH溶液中，刻蚀槽的深渡5～10um，刻槽完成后清洗；(3)放入氢氟酸溶液中，将表面的有机掩膜清洗去除，然后烘干；(4)将得到的硅片通过丝网印刷的方法制作背电极、背电场和正电极；(5)在整个硅片表面沉积一层氮化硅薄膜；(6)将得到的硅片在650-900℃下进行烧结。本发明方法采用先对硅片表面进行刻蚀，继而在刻蚀槽内制作完电极后进行氮化硅减反膜沉积的方法，使整面电极栅线完全被氮化硅减反膜所覆盖，由此可以使用贱金属如铜等替代部分银，节约成本。

主权项

一种晶硅太阳能电池的刻槽埋栅方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)、在表面制绒后的硅片表面印刷一层保护膜，湿膜厚度为5‑25um涂料图形并烘干，该图形掩盖住硅片表面无需电极部分，露出硅片表面需要刻槽的部分；上述掩膜涂料的制作方法是，将乙基纤维素树脂和环氧树脂以任意配比按总重量百分比5％～40％加入到60％～95％的有机溶剂中，在温度75℃～100℃中溶解完全，200‑400目过滤得有机掩膜涂料；(2)将涂膜后的硅片浸入浓度质量分数为1‑25％的NaOH或质量分数为1‑25％的KOH溶液中，加热到30‑70℃进行刻槽，刻蚀槽的深渡5～10um，刻槽完成后利用去离子水将硅片表面残留的杂质及碱液清洗，然后烘干；(3)将得到的硅片放入浓度质量分数为2‑20％的氢氟酸溶液中，将表面的有机掩膜，即步骤1的保护膜清洗去除，然后烘干；(4)将得到的硅片通过丝网印刷的方法制作背电极、背电场和正电极，并进行烘干从而完成埋栅电极的制作；(5)然后采用等离子增强化学沉积法在整个硅片表面沉积一层氮化硅薄膜，其厚度控制在80‑95nm，折射率控制在1.9‑2.30；(6)将得到的硅片在650‑900℃下进行烧结，时间为30‑90s从而将背电极和正电极粘合在硅片两面上。