[发明专利]一种嵌入式存储器的读写优化方法有效

专利信息
申请号: 201110449693.9 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN102541753A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 陈诚;朱念好;周玉洁 申请(专利权)人: 上海爱信诺航芯电子科技有限公司
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 徐雯琼
地址: 200241 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种嵌入式存储器的读写优化方法,适用于eflash存储器;将一个逻辑页与一个物理页上同样大小的若干个扇区相对应,建立逻辑页上有效数据与物理页扇区的映射关系。根据映射关系找到实际存储的数据进行读取。在写操作时,先读取实际存储的数据,如果是全FF则直接写入;而如果不是全FF且当前扇区不在最后一个扇区,则将数据写到下一个扇区中,否则,应将当前逻辑页的所有有效数据都读到SRAM中,擦除对应物理页,并将SRAM中的值更新成最新的值后写到已擦除物理页的第一个扇区中;以上操作完成后,更新映射表。本发明所述优化方法简化了eflash存储器的读写操作,能有效提高文件系统的性能,同时降低系统的复杂度。
搜索关键词: 一种 嵌入式 存储器 读写 优化 方法
【主权项】:
一种嵌入式存储器的读写优化方法,所述嵌入式存储器是eflash,其特征在于,所述优化方法,包含:在eflash的主存空间中设置若干个物理页,将每个物理页划分成若干个同样大小的扇区;还在虚拟空间中设置若干个逻辑页,使一个逻辑页的大小等于一个扇区的大小;并且,定义了将一个逻辑页与一个物理页相对应,并将该逻辑页上的有效数据映射到其所对应的物理页中若干个扇区上的映射关系,即:使逻辑页地址等于物理页地址,而逻辑页上有效数据的偏移地址等于该物理页上各个扇区的偏移地址;因此根据所述映射关系,能够确定逻辑页上有效数据在所对应的物理页上的具体扇区号,进而根据该扇区号对eflash进行逻辑读或逻辑写的操作。
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