[发明专利]高压BCD工艺中集成的浮动盆隔离结构有效
| 申请号： | 201110445592.4 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102496624A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;邵凯;陈雪萌;永福;杨海波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压BCD工艺中集成的浮动盆隔离结构，位于P-衬底上的N-外延层中，其中具有低压器件区域，浮动盆隔离结构包围低压器件区域，其包括：N型隔离区域，从底部和侧面包围低压器件区域，将低压器件区域中的掺杂区域与P-衬底隔离；第一P-表面环，环绕在低压器件区域外侧；第二P-表面环，环绕在第一P-表面环外侧，宽度更宽；深P+注入环，位于第二P-表面环下方；P-埋层环，位于深P+注入环下方，与P-衬底相接触，P-埋层环和深P+注入环形成PN结对通隔离。本发明采用对通PN结隔离，P-表面环的双降低表面电场效应实现浮动盆自身的高压隔离。而采用N+埋层与深N+注入沉降环实现浮动盆内器件对P-衬底的隔离，避免寄生PNP效应的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 bcd 工艺 集成 浮动 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种高压BCD工艺中集成的浮动盆隔离结构(100)，位于P‑衬底(101)上的N‑外延层(102)中，所述N‑外延层(102)中还具有低压器件区域(103)，所述浮动盆隔离结构(100)包围所述低压器件区域(103)，其包括：N型隔离区域(104)，从底部和侧面包围所述低压器件区域(103)，将所述低压器件区域(103)中器件的掺杂区域与所述P‑衬底(101)充分隔离；第一P‑表面环(105)，位于所述N‑外延层(102)表面，环绕在所述低压器件区域(103)的外侧；第二P‑表面环(106)，位于所述N‑外延层(102)表面，环绕在所述第一P‑表面环(105)的外侧，所述第二P‑表面环(106)比所述第一P‑表面环(105)更宽；深P+注入环(107)，位于所述第二P‑表面环(106)的下方，与其部分重合；以及P‑埋层环(108)，位于所述深P+注入环(107)的下方，并与所述P‑衬底(101)相接触，所述P‑埋层环(108)和所述深P+注入环(107)形成PN结对通隔离。
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