[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的制造方法有效
申请号: | 201110444720.3 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN102531346A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 须藤俊明;铃木江梨子 | 申请(专利权)人: | 日本超精石英株式会社 |
主分类号: | C03B20/00 | 分类号: | C03B20/00 |
代理公司: | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人: | 王昌花 |
地址: | 日本秋田县*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法,该方法通过控制制造氧化硅玻璃坩埚时的熔化状态,防止单晶硅制造时坩埚内表面发生褐色环,并抑制熔液面振动。本发明的氧化硅玻璃坩埚制造方法,是将原料氧化硅粉末成形于坩埚成形用模具内,用电弧放电加热熔化该氧化硅粉层来制造氧化硅玻璃坩埚的方法,包含向坩埚成形用模具内部供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的氧化硅粉末供给工序,以用多个碳电极的电弧放电熔化氧化硅粉层的电弧熔化工序,其中,在上述电弧熔化工序中,边旋转上述模具边测量位于设定在氧化硅粉层内表面不同高度的多个测量点的温度,控制上述电弧放电来检测出现于各测量点熔化初期的最初的温度最高点Tp。 | ||
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【主权项】:
一种制造氧化硅玻璃坩埚的方法,其特征在于包括:向坩埚成形用模具内部供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的氧化硅粉末供给工序,以及使用多个碳电极进行电弧放电来熔化氧化硅粉层的电弧熔化工序,其中,在上述电弧熔化工序中,边旋转上述模具边测量位于设定在氧化硅粉层内表面的不同高度的多个测量点的温度,并控制上述电弧放电,使得检测熔化初期在各测量点上出现的最初的温度最高点。
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