[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的制造方法有效
| 申请号： | 201110444720.3 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102531346A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 须藤俊明;铃木江梨子 | 申请（专利权）人： | 日本超精石英株式会社 |
| 主分类号： | C03B20/00 | 分类号： | C03B20/00 |
| 代理公司： | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人： | 王昌花 |
| 地址： | 日本秋田县*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 玻璃 坩埚 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造氧化硅玻璃坩埚的方法，其特征在于包括：
向坩埚成形用模具内部供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的氧化硅粉末供给工序，以及使用多个碳电极进行电弧放电来熔化氧化硅粉层的电弧熔化工序，
其中，在上述电弧熔化工序中，边旋转上述模具边测量位于设定在氧化硅粉层内表面的不同高度的多个测量点的温度，并控制上述电弧放电，使得检测熔化初期在各测量点上出现的最初的温度最高点。
2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：调整氧化硅粉层的熔化条件，使得检测每个测量点在所定熔化时间范围内的上述最高点。
3.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：利用辐射温度计检测波长为4.8～5.2μm的辐射能来进行测温。
4.如权利要求3所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述辐射温度计及上述测量点设置在连接上述辐射温度计及上述测量点的直线与上述模具的旋转轴相离100mm以上的位置。
5.如权利要求3或4所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述辐射温度计追随上述多个碳电极的移动而改变测量点。
6.如权利要求3或4所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：设置多个上述辐射温度计，其用于测量位于不同高度的多个测量点的温度。
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