[发明专利]一种大尺寸ITO靶材的制备方法无效
申请号: | 201110440630.7 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN102531636A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 周晓龙;曹建春;陈敬超;黎敬涛;于杰 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/457;C04B35/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种大尺寸ITO靶材的制备方法,属于透明导电薄膜靶材的技术领域。该技术可通过传统的挤出设备、轧制设备、烧结设备来制备大尺寸ITO靶材;其工艺过程是通过对不同粒度的ITO粉进行恰当配比后,添加适当的成型剂,再通过挤出、碾压、脱脂、烧结来获得高致密度ITO靶材。该工艺的优点在于ITO靶材的尺寸可根据市场需求来进行设计。 | ||
搜索关键词: | 一种 尺寸 ito 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种大尺寸ITO靶材的制备方法,其特征在于具体制备步骤包括如下:(1)取ITO粉,将不同的纳米级别的ITO粉按比例进行配料,然后加入ITO粉5~30wt%的去离子水和1~10wt%的分散剂聚乙二醇,再通过3~15小时的球磨至过200目筛,最后用去离子水洗涤1~3次;(2)将步骤(1)制备的洗涤后的ITO粉过滤后,加入ITO粉干料2~15wt%的粘结剂聚乙烯醇,并搅拌1~3小时;(3)将步骤(2)中得到的混合料在200~600MPa压力条件下挤成片坯,然后在碾压压力为0.05~3Pa的条件下反复碾压2~4次;(4)将经过步骤(3)的坯料置于250~600℃温度范围内,保温3~6小时脱脂;(5)将经过步骤(4)脱脂的坯料送入高温气氛炉中进行烧结,烧结过程中保持通入流量为200~1000ml/min的高纯氧气,烧结条件为:先从室温升温到650℃,保温2小时;然后再升温到1000~1200℃,保温0.5~3小时后,再升温到1500℃~1600℃温度范围内保温3~6小时,最后随炉冷却,制得ITO靶材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110440630.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。