[发明专利]一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液

摘要

本发明揭示了一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，至少含有一种磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率，和较低的氮化硅去除速率，能够对硅通孔阻挡层进行高效的平坦化，同时不产生金属腐蚀，且对金属铜的去除可线性调节，具有较高的缺陷校正能力和较低的表面污染物指标。

主权项

一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，由磨料,氮化硅抛光速率抑制剂，唑类化合物，水溶性聚合物，氧化剂，pH调节剂和杀菌防霉变剂组成，所述磨料粒径为40‑120nm，所述氮化硅抛光速率抑制剂为烷基磷酸酯盐，所述烷基磷酸酯盐选自烷基磷酸酯钠盐，烷基磷酸酯钾盐，烷基磷酸酯二乙醇胺盐和烷基磷酸酯三乙醇胺盐中的一种或几种，所述烷基磷酸酯盐的烷基碳原子数选自8～12，所述唑类化合物选自苯并三氮唑和/或其衍生物，所述水溶性聚合物为聚丙烯酸和/或聚丙烯酸盐及其共聚物，所述氧化剂为过氧化物和/或过硫化物，所述pH调节剂选自HCl，HNO₃，H₂SO₄，乙二酸，丙二酸中的一种或几种，所述杀菌防霉变剂为季铵盐活性剂，所述烷基磷酸酯盐的含量为50‑2000ppm，所述唑类化合物的含量为0.01‑0.5wt％，所述水溶性聚合物的含量为0.01‑0.5wt％，所述氧化剂的含量为0.1‑0.5wt％，所述抛光液的pH值为2‑5。