[发明专利]一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液

权利要求书

1.一种用于硅通孔阻挡层平坦化的化学机械抛光液，其包含：磨料和氮化硅抛光速率抑制剂。

2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述磨料为二氧化硅溶胶和/或气相法二氧化硅。

3.如权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述磨料粒径为20-200nm。

4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于：所述磨料粒径为40-120nm。

5.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述磨料的含量为10-50wt％。

6.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述氮化硅抛光速率抑制剂为烷基磷酸酯盐。

7.如权利要求1-6所述的抛光液，其特征在于：所述烷基磷酸酯盐选自烷基磷酸酯钠盐，烷基磷酸酯钾盐，烷基磷酸酯二乙醇胺盐和烷基磷酸酯三乙醇胺盐中的一种或几种。

8.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述烷基磷酸酯盐的烷基碳原子数选自8～12。

9.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述烷基磷酸酯盐的含量为50-2000ppm。

10.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含唑类化合物。

11.如权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述唑类化合物选自苯并三氮唑和/或其衍生物。

12.如权利要求11所述的抛光液，其特征在于：所述苯并三氮唑的衍生物为甲基苯并三氮唑，羟基苯并三氮唑和/或羧基苯并三氮唑等。

13.如权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述唑类化合物的含量为0.01-0.5wt％。

14.如权利要求13所述的抛光液，其特征在于：所述唑类化合物的含量为0.05-0.2wt％。

15.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含水溶性聚合物。

16.如权利要求13所述的抛光液，其特征在于：水溶性聚合物为聚丙烯酸和/或聚丙烯酸盐及其共聚物。

17.如权利要求14所述的抛光液，其特征在于：所述水溶性聚合物选自聚丙烯酸，聚丙烯酸钠，聚丙烯酸铵和丙烯酸马来酸共聚物中的一种或几种。

18.如权利要求15所述的抛光液，其特征在于：所述水溶性聚合物的含量为0.01-0.5wt％。

19.如权利要求18所述的抛光液，其特征在于：所述水溶性聚合物的含量为0.05-0.2wt％。

20.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含氧化剂。

21.如权利要求16所述的抛光液，其特征在于：所述氧化剂为过氧化物和/或过硫化物。

22.如权利要求21所述的抛光液，其特征在于：所述过氧化氢为过氧化钠和/或过氧化钾，所述过硫化物为过硫酸钠，过硫酸铵和/或过氧化苯甲酰。

23.如权利要求20所述的抛光液，其特征在于：所述氧化剂的含量为0.1-0.5wt％。

24.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含pH调节剂，其中，所述pH调节剂选自HCl，HNO₃，H₂SO₄，乙二酸，丙二酸中的一种或几种。

25.如权利要求24所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液的pH值为2-5。

26.如权利要求25所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液的pH值为3-4。

27.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还包含杀菌防霉变剂。

28.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述杀菌防霉变剂为季铵盐活性剂。