[发明专利]化学机械抛光预处理方法有效

专利信息
申请号: 201110436379.7 申请日: 2011-12-22
公开(公告)号: CN102513917A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 李儒兴;李志国;陈海蓉;朱华 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: B24B37/02 分类号: B24B37/02;B24B37/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种化学机械抛光预处理方法,用于在化学机械抛光设备更换消耗品后,对挡片进行化学机械抛光,包括:提供挡片;利用化学机械研磨装置对挡片进行化学机械研磨;通过喷嘴喷淋化学清洗剂以清洗研磨后的挡片,且在清洗挡片的过程中使刷子不接触挡片;对清洗后的挡片进行干燥。在更换新的消耗品后的预处理过程中,挡片表面会吸附大量的来自新的消耗品上的沾污颗粒,如果采用刷子清洗挡片会造成刷子表面沾污过载的问题,从而使刷子成为产品的污染源。使用新的清洗挡片的方法可避免刷子在机器日常保养复机时被污染,从而保证复机后产品晶圆进行化学机械抛光时,不会因为刷子问题而造成二次污染,而影响芯片的性能。
搜索关键词: 化学 机械抛光 预处理 方法
【主权项】:
一种化学机械抛光预处理方法,用于在化学机械抛光设备更换消耗品后,对挡片进行化学机械抛光,所述化学机械抛光设备包括:化学机械研磨装置,包括刷子和喷嘴的清洗装置,其特征在于,包括:提供挡片;利用所述化学机械研磨装置对所述挡片进行化学机械研磨;通过所述喷嘴喷淋化学清洗剂以清洗研磨后的挡片,且在清洗挡片过程中使所述刷子不接触挡片;对所述清洗后的挡片进行干燥。
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