[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池

摘要

本发明揭示一种硅基薄膜太阳能电池的制程方法，步骤包含：提供一基材、沉积第一透明导电层、P型半导体层、本质(i)型半导体层、N型半导体层、纳米金属粒子层、第二透明导电层以及背电极。本发明藉由该纳米金属粒子层的设置，该电池可有效地达到阻障后续背电极制程的高功率轰击的功效，以提高电池的可靠度。

主权项

一种薄膜太阳能电池的制程方法，其特征在于，其步骤包含：(a)提供一基材；(b)沉积一第一透明导电层于该基材上；(c)沉积一P型半导体层于该第一透明导电层上；(d)沉积一本质(i)型半导体层于该P型半导体层上；(e)沉积一N型半导体层于该本质(i)半导体层上；(f)沉积一纳米金属粒子层于该N型半导体层上；(g)沉积一第二透明导电层于该纳米金属粒子层上；以及(h)沉积一背电极于该第二透明导电层上；其中，该纳米金属粒子层的晶粒大小为5至100纳米之间，且该纳米金属粒子层的纳米粒子在该N型半导体层的表面覆盖率为20％至60％之间。