[发明专利]一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片

摘要

一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，包括高压传感器芯片，高压传感器芯片底面的中心区域腐蚀形成矩形膜，在高压传感器芯片的正面，沿着[110]晶向上，在矩形膜上的应力最大处布置有四个电阻条，在矩形膜外围和高压传感器芯片边缘之间布置有压焊块，电阻条和压焊块连接形成惠斯登电桥，高压传感器芯片的底部通过阳极键合技术和PYREX 7740号玻璃片键合在一起，惠斯登测量电路能够精确地反应出电阻阻值的变化，从而达到信号输出的目的，本发明具有量程大、耐高温、动态特性好、精度高、微型化、工作安全可靠、适应性强的特点。

主权项

一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，包括高压传感器芯片(1)，其特征在于：高压传感器芯片(1)的背面腐蚀形成矩形膜(7)，在高压传感器芯片(1)的正面，沿着[110]晶向上，在矩形膜(7)上的应力最大处布置有电阻条R1、电阻条R2、电阻条R3和电阻条R4，在矩形膜(7)外围和高压传感器芯片(1)边缘之间布置有第一压焊块(2)、第二压焊块(3)、第三压焊块(4)、第四压焊块5和第五压焊块(6)，电阻条R1的一端与第五压焊块(6)连接，电阻条R1和电阻条R2通过一个公共的第一压焊块(2)连接，电阻条R2和电阻条R3通过一个公共的第二压焊块(3)连接，电阻条R3和电阻条R4通过一个公共的第三压焊块(4)连接，电阻条R4的另外一端与第四压焊块(5)连接，电阻条R1、电阻条R2、电阻条R3、电阻条R4形成惠斯登电桥，高压传感器芯片(1)的底部通过阳极键合技术和PYREX 7740#玻璃片(19)键合在一起。