[发明专利]一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片

权利要求书

1.一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，包括高压传感器芯片(1)，其特征在于：高压传感器芯片(1)的背面腐蚀形成矩形膜(7)，在高压传感器芯片(1)的正面，沿着[110]晶向上，在矩形膜(7)上的应力最大处布置有电阻条R1、电阻条R2、电阻条R3和电阻条R4，在矩形膜(7)外围和高压传感器芯片(1)边缘之间布置有第一压焊块(2)、第二压焊块(3)、第三压焊块(4)、第四压焊块5和第五压焊块(6)，电阻条R1的一端与第五压焊块(6)连接，电阻条R1和电阻条R2通过一个公共的第一压焊块(2)连接，电阻条R2和电阻条R3通过一个公共的第二压焊块(3)连接，电阻条R3和电阻条R4通过一个公共的第三压焊块(4)连接，电阻条R4的另外一端与第四压焊块(5)连接，电阻条R1、电阻条R2、电阻条R3、电阻条R4形成惠斯登电桥，高压传感器芯片(1)的底部通过阳极键合技术和PYREX 7740#玻璃片(19)键合在一起。

2.根据权利要求1所述的一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，其特征在于：所述的电阻条R1、电阻条R2、电阻条R3和电阻条R4均采用横向排布，左右两侧的电阻条R1、电阻条R3结构相同，上下两侧的电阻条R2、电阻条R4结构相同，电阻条R1、电阻条R3由一条以上的第一电阻条(9)和堵头(10)采用折叠分布结构连接而成，第一电阻条(9)之间通过堵头(10)连接，电阻条R1和电阻条R3的两端连接着引线接头(8)；电阻条R2、电阻条R4由一条以上的第二电阻条(11)和堵头(10)采用折叠分布结构连接而成，第二电阻条(11)之间通过堵头(10)连接，电阻条R2和电阻条R4的两端连接着引线接头(8)。

3.根据权利要求1所述的一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，其特征在于：所述的高压传感器芯片(1)包括一个硅基底(14)，在硅基底(14)上，通过高能氧离子注入工艺形成二氧化硅隔离层(15)，在二氧化硅隔离层(15)上设有作为测量电路的电阻条R1、电阻条R2、电阻条R3和电阻条R4的SOI硅层(16)，在SOI硅层(16)上配有应力匹配氮化硅层(17)。

4.根据权利要求1所述的一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，其特征在于：所述的高压传感器芯片(1)长为3000um～4000um、宽为3000um～4000um、厚为460um～525um。

5.根据权利要求1所述的一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，其特征在于：所述的矩形膜(7)长为800um～1200um、宽为400um～600um、厚为300um～400um。

6.根据权利要求1所述的一种SOI矩形膜结构高压传感器芯片，其特征在于：所述的第一压焊块(2)、第二压焊块(3)、第三压焊块(4)、第四压焊块(5)和第五压焊块(6)采用钛-铂-金(Ti-Pt-Au)梁式引线技术加工而成。