[发明专利]一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110432458.0 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102504304A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 李鸿岩;费明;王楷;姜其斌 | 申请(专利权)人: | 株洲时代新材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L79/08;C08K5/549;C08G73/10 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 王法男 |
地址: | 412007 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法,将无水低聚硅倍半氧烷溶解于无水的非质子型溶剂中,两物质的重量比为1-40:100,再将10-30份等摩尔的芳族二胺和芳族二酐在5℃以下通氮气反应10h,获得淡黄色黏稠状聚酰胺酸溶液在洁净的支撑体上流延成膜,在80℃真空干燥4h,将膜从支撑体上取下,固定在铁架上,将固定薄膜的铁架至于烘箱中,以1℃-3℃/min速度升温至350℃,并在350℃保温30min,然后以3℃-5℃/min升温到410℃,再冷却到室温即可制得低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜。该薄膜具有较高的耐热性、尺寸稳定性和较低的介电常数。 | ||
搜索关键词: | 一种 低聚硅倍半氧烷 改性 聚酰亚胺 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于该方法包括如下步骤:1)将无水低聚硅倍半氧烷溶解于无水的非质子型溶剂中,两物质的重量比为1‑40:100,再将10‑30份等摩尔的芳族二胺和芳族二酐在5℃以下通氮气反应,获得淡黄色黏稠状聚酰胺酸溶液;2)将步骤1)所得的聚酰胺酸溶液在洁净的支撑体上流延成膜,在80℃真空干燥4h,将膜从支撑体上取下,固定在铁架上;3)将固定薄膜的铁架至于烘箱中,以1℃‑3℃/min速度升温至350℃,并在350℃保温30min,然后以3℃‑5℃/min升温到410℃,再冷却到室温即可制得低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜。
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