[发明专利]一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

1）将无水低聚硅倍半氧烷溶解于无水的非质子型溶剂中，两物质的重量比为1-40：100，再将10-30份等摩尔的芳族二胺和芳族二酐在5℃以下通氮气反应，获得淡黄色黏稠状聚酰胺酸溶液；

2）将步骤1）所得的聚酰胺酸溶液在洁净的支撑体上流延成膜,在80℃真空干燥4h，将膜从支撑体上取下，固定在铁架上；

3）将固定薄膜的铁架至于烘箱中，以1℃-3℃/min速度升温至350℃，并在350℃保温30min，然后以3℃-5℃/min升温到410℃，再冷却到室温即可制得低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于所述的低聚硅倍半氧烷是以Si-O为骨架联成的笼状纳米粒子，其典型的分子式为（RSiO-1.5）n（n=8），分子结构内部为Si-₈O₁₂无机核，外围顶角分布有8个有机基团，其中有一个或多个为活性基团，活性基团的种类为胺基。

3.根据权利要求1所述的一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于所述的非质子型溶剂为NMP（N-甲基吡咯烷酮）、DMF（N,N-二甲基甲酰胺）、DMAc（二甲基乙酰胺）中的一种或几种的组合物。

4.根据权利要求1所述的一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于所述的芳族二胺为对苯二胺或4,4-二胺基二苯醚。

5.根据权利要求1所述的一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征所述的芳族二酐为3,3,4,4-联苯四羧酸二酐。

6.根据权利要求5所述的一种低聚硅倍半氧烷改性聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征所述的3,3,4,4-联苯四羧酸二酐为3,3,4,4-均苯四甲酸二酐。