[发明专利]一种可调谐切伦科夫辐射源无效
申请号: | 201110432132.8 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102496678A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 刘盛纲;刘维浩;张平 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L37/00 | 分类号: | H01L37/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种表面等离子体波切伦科夫辐射源,属于电磁波辐射源技术领域。包括电子枪、介质圆环体(或介质圆柱体)和沉积于介质圆环体内表面(或沉积于介质圆柱体外表面)的金属薄膜层;电子枪发射的电子束从金属薄膜层表面掠过从而在金属薄膜层表面激发表面等离子体波,表面等离子体波透过金属薄膜层到达介质材料中;当电子枪所发射电子束的运动速度与真空中光速的比值β和介质材料层的折射率n满足切伦科夫辐射条件nβ>1时,表面等离子体波在介质材料层中转化为切伦科夫辐射。辐射频率由电子束所激发的表面等离子体波的频率决定;通过改变运动电子的能量,可以改变激励起的表面等离子体波的频率,从而调谐电磁辐射源的频率。本发明具有小型化、带宽窄、可调谐和低电压、易集成的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 调谐 切伦科夫 辐射源 | ||
【主权项】:
一种可调谐切伦科夫辐射源,包括电子枪(1)、介质圆环体(3)和沉积于介质圆环体(3)内表面的金属薄膜层(4);其特征在于,所述电子枪(1)发射的电子束从介质圆环体(3)的空心圆柱内掠过从而在金属薄膜层(4)表面激发表面等离子体波;所述金属薄膜层(4)的厚度小于所述表面等离子体波在金属薄膜层(4)所用金属材料中的趋肤深度δm,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆环体(3)中;电子枪(2)所发射电子束的运动速度与真空中光速的比值β和介质圆环体(3)所用材料的折射率n满足切伦科夫辐射条件:nβ>1,使得所述表面等离子体波能够透过金属薄膜层(4)到达介质圆环体(3)内并转化为切伦科夫辐射。
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