[发明专利]分立元件式调频无线话筒无效
申请号: | 201110432024.0 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN102497607A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 洪珍;何林 | 申请(专利权)人: | 洪珍 |
主分类号: | H04R1/08 | 分类号: | H04R1/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及一种分立元件调频无线话筒。该调频无线话筒由4.5V直流电源、音频信号输入电路、电容式振荡调制电路、射频功率放大电路和发射天线TX组成。本发明试用改进型电容式振荡器,通过音频电压的变化而改变晶体管b-e间结电容,从而使振荡频率的发生变化,实现振荡频率调制。这种振荡器具有振荡频率较稳定,很场合用于电视无线耳机等保真度的要求较高信号传输。 | ||
搜索关键词: | 分立 元件 调频 无线 话筒 | ||
【主权项】:
一种分立元件调频无线话筒,由4.5V直流电源、音频信号输入电路、电容式振荡调制电路、射频功率放大电路和发射天线TX组成,其特征包括:音频信号输入电路中的驻极体话筒MIC的输出端接电容C2的一端,电容C2的另一端接NPN型晶体管VT1的基极,驻极体话筒MIC的壳体端接电路地GND;电容式振荡调制电路中电感线圈L1的一端与电容C1的一端、电容C3的一端相连,电感线圈L1的另一端与电容C1的另一端接电路地GND,NPN型晶体管VT1的基极与电容C3的另一端、电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C4的一端相连,电阻R1的另一端接4.5V直流电源的正极VCC,电阻R2的另一端接电路地GND,NPN型晶体管VT1的发射极接电容C4的另一端和电阻R3的一端,电阻R3的另一端接电路地GND,NPN型晶体管VT1的集电极接4.5V直流电源的正极VCC;射频功率放大电路由NPN型晶体管VT2、电容C5、电阻R4、电感线圈L2、电容C6、电容C7和发射天线TX组成,NPN型晶体管VT2的基极接电容C5的一端和电阻R4的一端,电容C5的另一端接NPN型晶体管VT1的发射极,NPN型晶体管VT2的集电极与电阻R4的另一端、电感线圈L2的一端、电容C6的一端和电容C7的一端相连,电感线圈L2的另一端和电容C6的另一端接4.5V直流电源的正极VCC,电容C7的另一端接发射天线TX,NPN型晶体管VT2的发射极接电路地GND。
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