[发明专利]分立元件式调频无线话筒

说明书

技术领域

本发明属于电子技术与通讯技术领域，涉及一种分立元件调频无线话筒。

背景技术

常见的调频无线话筒是通过改变高频振荡电路中晶体管的c-b间的结电容变化来改变高频振荡器的输出频率，从而实现对振荡频率的调制成调频波，通过高频选频电路与放大电路，最后由天线向外辐射，这些是多数调频无线话筒通用的工作原理。

本发明用改进型电容式振荡器，通过音频电压的变化而改变晶体管b-e间的结电容，从而使振荡频率的发生变化，实现振荡频率调制目的。这种振荡器具有振荡频率稳定，很适合用于电视无线耳机、舞台演出等保真度要求较高的信号传输。试验证明：本发明全部使用普通分立元器件，实现了调频无线话筒电路结构简单、振荡工作频率稳定、发射距离较远、且耗电少等技术要求。

以下详细说明这种分立元件调频无线话筒在实施过程中涉及的相关技术。

发明内容

发明目的及有益效果：本发明试用改进型电容式振荡器，通过音频电压的变化而改变晶体管的b-e间结电容，从而使振荡频率的发生变化，实现振荡频率调制。这种振荡器具有振荡频率较稳定，很场合用于电视无线耳机等保真度的要求较高信号传输。试验证明：本发明全部使用普通分立元器件实现了调频无线话筒电路结构简单，这种电容式振荡器制作容易、制作成本低廉，有着振荡工作频率稳定、发射距离较远、且耗电少等种优点。

电路工作原理：分立元件调频无线话筒的电路有音频信号输入、振荡电路、高频放大和射频功率放大四部分。电感线圈L1、电容C1、电容C3～C4、NPN型晶体管VT1组成改进型电容式振荡电路，该振荡电路具有不易跑频的特点；

振荡器的频率主要由电感线圈L1和电容C1决定，通过微调电感线圈L1，可以覆盖88～108MHz频率范围。驻极体话筒MIC产生的音频信号经电容C2耦合至在晶体管VT1的基极，在NPN型晶体管VT1的b-e间的结电容随着输入音频电压的变化而引起振荡频率的变化，实现对振荡频率的调制，调制后的信号再经过NPN型晶体管VT2进行射频功率放大，最后由天线TX向外辐射。

技术方案：分立元件调频无线话筒，由4.5V直流电源、音频信号输入电路、电容式振荡调制电路、射频功率放大电路和发射天线TX组成，其特征包括：

音频信号输入电路：驻极体话筒MIC的输出端接电容C2的一端，电容C2的另一端接NPN型晶体管VT1的基极，驻极体话筒MIC的壳体端接电路地GND；

电容式振荡调制电路：电感线圈L1的一端与电容C1的一端、电容C3的一端相连，电感线圈L1的另一端与电容C1的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT1的基极与电容C3的另一端、电阻R1的一端、电阻R2的一端、电容C4的一端相连，电阻R1的另一端接4.5V直流电源的正极VCC，电阻R2的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT1的发射极接电容C4的另一端和电阻R3的一端，电阻R3的另一端接电路地GND，NPN型晶体管VT1的集电极接4.5V直流电源的正极VCC；

射频功率放大电路：由NPN型晶体管VT2、电容C5、电阻R4、电感线圈L2、电容C6、电容C7和发射天线TX组成，NPN型晶体管VT2的基极接电容C5的一端和电阻R4的一端，电容C5的另一端接NPN型晶体管VT1的发射极，NPN型晶体管VT2的集电极与电阻R4的另一端、电感线圈L2的一端、电容C6的一端和电容C7的一端相连，电感线圈L2的另一端和电容C6的另一端接4.5V直流电源的正极VCC，电容C7的另一端接发射天线TX，NPN型晶体管VT2的发射极接电路地GND。

附图说明

附图1是的分立元件调频无线话筒电路工作原理图；附图1中的MIC是两接点的驻极体话筒，话筒的壳体接电路地。

具体实施方式

按照说明书附图1所示的分立元件调频无线话筒工作原理图和附图说明及以下所述的元器件技术要求和调试方法进行实施，即可实现本发明。

元器件的选择及其技术参数

MIC为驻极体话筒，选用有两个接点的驻极体话筒，要求驻极体话筒的壳体接电路地，以提高电路的抗干扰性；

VT1～VT2为NPN型晶体管，选用2SC9018中功率晶体管，要求β≥100；

电阻全部选用功率为1/8W金属膜电阻或碳膜电阻，电阻R1～R3的阻值分别是10KΩ、5.6KΩ、150Ω；电阻R4的阻值为22KΩ；