[发明专利]一种旱地甘薯栽培方法无效

专利信息
申请号: 201110426707.5 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN102487714A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 吴太平 申请(专利权)人: 吴太平
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人: 卢茂春
地址: 048000 山西省晋城市*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种旱地甘薯栽培方法,秋后立冬前选择日均气温在3℃以上的时间,深耕25厘米;划行0.8米为一种植带,在划行的地表撒草木灰肥5公斤|亩或50%硫酸钾20公斤|亩,挖沟起垄,起半圆形高垄,垄沟的沟底宽度是0.2米,高垄的高度是0.3米,高垄的底宽是0.6米,高垄的顶宽是0.5米,用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖;于四月中下旬或五月上旬在覆盖好的垄膜上两边部用直径1.5厘米,长0.2米的尖头棒等距离扎孔,等株距是0.2米栽种育好的甘薯苗,亩栽5500株。本发明比常规种植可节约劳力50%,提高产量一倍。
搜索关键词: 一种 旱地 甘薯 栽培 方法
【主权项】:
一种旱地甘薯栽培方法,选择旱地红壤土或纯砂土质地块,土壤有机质含量为1ppm,秋后立冬前选择日均气温在3℃以上的时间,深耕25厘米;早春土壤消冻后,在春3月中下旬,有10‑13毫米降水后,地表干时,用划行器划行,划行0.8米为一种植带,在划行的地表撒草木灰肥5公斤|亩或50%硫酸钾20公斤|亩,挖沟起垄,起半圆形高垄,垄沟的沟底宽度是0.2米,高垄的高度是0.3米,高垄的底宽是0.6米,高垄的顶宽是0.5米,用宽度是90‑100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖;于四月中下旬或五月上旬在覆盖好的垄膜上两边部用直径1.5厘米,长0.2米的尖头棒等距离扎孔,等株距是0.2米栽种育好的甘薯苗,亩栽5500株。
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