[发明专利]超厚TiN-TiCN多层复合薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201110425176.8 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103160793A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郝俊英;郑建云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超厚TiN-TiCN多层复合薄膜材料的制备方法。本发明采用直流磁控溅射物理气相沉积技术制备的TiN-TiCN多层复合薄膜材料，该薄膜薄膜厚度为9.5-24.0μm，质地均匀致密，表面光滑，弹性良好，附着性好，具有高的硬度和优异的抗磨损性能。可用于机械切割与钻孔的刀具和加工成型的模具上。 | ||
| 搜索关键词： | tin ticn 多层 复合 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超厚TiN‑TiCN多层复合薄膜材料的制备方法，其特征在于该方法具体步骤为：A在沉积过程中，采用直流磁控溅射系统设备；B将单晶硅片或钢片作为基材固定在衬底板上，然后把衬底板装载到沉积腔室中，进行抽真空；当沉积室的真空度达到8.0×10‑4‑6.0×10‑4Pa时，通氩气于沉积室中，在占空比为60‑80％、脉冲直流负偏压为800‑1100V的条件下用氩等离子体进行溅射清洗基材10‑20min；C在氩气流量为20‑40sccm，靶材与基片的距离为10‑15cm，初始腔室温度在30‑40℃，直流电流为2‑4sccm，占空比和负偏压分别为60‑80％和0‑100V的条件下，通过渐变地调节氮气和甲烷流量，溅射纯钛靶，制得TiN‑TiCN多层复合薄膜，沉积时间为100‑260min；D沉积结束后，腔室温度为125‑135℃，等待腔室温度冷却到室温时，取出单晶硅片或钢片。
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