[发明专利]超厚TiN-TiCN多层复合薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201110425176.8 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103160793A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郝俊英;郑建云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tin ticn 多层 复合 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超厚TiN-TiCN多层复合薄膜材料的制备方法，其特征在于该方法具体步骤为：
A在沉积过程中，采用直流磁控溅射系统设备；
B将单晶硅片或钢片作为基材固定在衬底板上，然后把衬底板装载到沉积腔室中，进行抽真空；当沉积室的真空度达到8.0×10-4-6.0×10-4Pa时，通氩气于沉积室中，在占空比为60-80％、脉冲直流负偏压为800-1100V的条件下用氩等离子体进行溅射清洗基材10-20min；
C在氩气流量为20-40sccm，靶材与基片的距离为10-15cm，初始腔室温度在30-40℃，直流电流为2-4sccm，占空比和负偏压分别为60-80％和0-100V的条件下，通过渐变地调节氮气和甲烷流量，溅射纯钛靶，制得TiN-TiCN多层复合薄膜，沉积时间为100-260min；
D沉积结束后，腔室温度为125-135℃，等待腔室温度冷却到室温时，取出单晶硅片或钢片。
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