[发明专利]一种电流镜像电路有效
| 申请号： | 201110422769.9 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103163933A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 袁志勇;李兆桂 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流镜像电路，包括：3个PMOS管，编号为P1至P3；4个NMOS管，编号为N1至N4；电阻R1和可变电阻R2以及1个运算放大器；P1至P3源极和衬底接电源，P1至P3栅极接运算放大器输出端；P1漏极接运算放大器正相输入端和R2一端，R2另一端接地；P2漏极接N1漏极，P3漏极输出电流一；外部模块输入电流接运算放大器反相输入端，并通过电阻R1接地；N1和N2栅极接偏置电压二，N2漏极输出电流二，N3和N4栅极接偏置电压三，N1和N2源极分别接N3和N4漏极，N3和N4源极以及N1至N4衬底接地。本发明的电流镜像电路能在超低电源电压条件下产生大范围的高精度可调电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 电路 | ||
【主权项】：
一种电流镜像电路，其特征是，包括：3个PMOS管，编号为P1至P3；4个NMOS管，编号为N1至N4；电阻R1和可变电阻R2以及1个运算放大器；P1至P3源极和衬底接电源，P1至P3栅极接运算放大器输出端；P1漏极接运算放大器正相输入端和R2一端，R2另一端接地；P2漏极接N1漏极，P3漏极输出电流一；外部模块输入电流接运算放大器反相输入端，并通过电阻R1接地；N1和N2栅极接偏置电压二，N2漏极输出电流二，N3和N4栅极接偏置电压三，N1和N2源极分别接N3和N4漏极，N3和N4源极以及N1至N4衬底接地。
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