[发明专利]一种沟槽型绝缘栅场效应管有效
| 申请号： | 201110422748.7 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103165673A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬;苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括N型外延层下形成有P型注入层，N型外延层上部形成有沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅栅，沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，N型有源区位于P阱上方，其中，N型有源区中形成有圆形镂空结构，层间氧化介质形成于沟槽、圆形镂空结构和N型有源区上方，接触孔下方具有P型注入区，接触孔穿过层间氧化介质将N型有源区和P型注入区连出。本发明的沟槽型绝缘栅场效应管减小了寄生的NPN的基极电阻RB，同时减小了寄生晶闸管NPN发射极的面积，从而降低了寄生晶闸管闩锁效应的发生几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 场效应 | ||
【主权项】：
一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括N型外延层下形成有P型注入层，N型外延层上部形成有沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅栅，沟槽两侧形成有P型阱和N型有源区，N型有源区位于P阱上方，其特征是：N型有源区中形成有圆形镂空结构，层间氧化介质形成于沟槽、圆形镂空结构和N型有源区上方，接触孔下方具有P型注入区，接触孔穿过层间氧化介质将N型有源区和P型注入区连出。
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